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GB/T 11069-1989 高纯二氧化锗

时间:2024-04-28 18:40:13 来源: 标准资料网 作者:标准资料网 阅读:8859
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基本信息
标准名称:高纯二氧化锗
英文名称:High purity germanium dioxide
中标分类: 冶金 >> 有色金属及其合金产品 >> 稀有分散金属及其合金
ICS分类: 化工技术 >> 无机化学 >> 氧化物
替代情况:被GB/T 11069-2006代替
发布部门:国家技术监督局
发布日期:1989-03-31
实施日期:1990-02-01
首发日期:1989-03-31
作废日期:2006-11-01
主管部门:中国有色金属工业协会
归口单位: 中国有色金属工业协会
起草单位:北京有色金属研究总院
出版日期:1900-01-01
页数:8页
适用范围

本标准规定了高纯二氧化锗的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于以高纯四氯化锗为原料,经水解、洗涤和烘干制得的二氧化锗。

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所属分类: 冶金 有色金属及其合金产品 稀有分散金属及其合金 化工技术 无机化学 氧化物
基本信息
标准名称:半导体光电子器件2CW50~78型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete devices-Detail specification for Types 2CW50~78 glass passivation package Silicon voltage-regulator diodes
中标分类:
发布部门:中华人民共和国信息产业部
发布日期:1999-11-10
实施日期:1999-12-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
提出单位:中华人民共和国信息产业部
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:国营第八七三厂
起草人:陈凯、刘宗永
出版社:中国电子工业出版社
出版日期:1999-12-01
页数:15页
适用范围

本规范规定了2CW50~78(原企业型号为BWA50~78)型玻璃钝化封装硅电压调整二级管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

前言

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引用标准

GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法

所属分类:
【英文标准名称】:Adhesivesforpaperandboard,packaginganddisposablesanitaryproducts-Determinationoflowtemperatureflexibilityorcoldcracktemperature;GermanversionEN12703:2012
【原文标准名称】:纸、纸板和包装用及一次性卫生制品用胶粘剂.低温柔性和冷脆性的测定
【标准号】:DINEN12703-2012
【标准状态】:现行
【国别】:德国
【发布日期】:2012-06-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:德国标准化学会(DE-DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Adhesivefilm;Adhesivefilms;Adhesives;Airconditioning;Coldcrack;Inspection;Laboratorytests;Materialstesting;Paper;Qualitycontrol;Strengthofmaterials;Temperature;Temperaturestability;Temperaturetest;Testing;Thermoplasticpolymers;Ultimatebehaviour
【摘要】:
【中国标准分类号】:G38
【国际标准分类号】:83_180
【页数】:9P;A4
【正文语种】:德语