基本信息
| 标准名称： | 硅片切口尺寸测试方法 |
| 英文名称： | Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2011-01-10 |
| 实施日期： | 2011-10-01 |
| 首发日期： | 2011-01-10 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： | 有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司 |
| 起草人： | 杜娟、孙燕、卢立延、楼春兰 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2011-10-01 |
| 页数： | 12页 |
适用范围
本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
本标准中物体平面尺寸为0.1mm 时,通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm 的影像,通过50倍放大后会产生5.0mm 的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。
前言
没有内容
目录
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引用标准
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GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T14264 半导体材料术语
所属分类： 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 电气工程 半导体材料